三星為了與臺積電競爭大絕盡出，根據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日報》報導(dǎo)，三星計劃采用最新“背面電軌”（BSPDN，又稱“晶背供電”）芯片制造技術(shù)，能讓2納米芯片的尺寸，相比傳統(tǒng)前端配電網(wǎng)絡(luò)（PDN）技術(shù)縮小17%。

　　三星代工制程設(shè)計套件（PDK）開發(fā)團(tuán)隊副總裁Lee Sungjae近期向大眾揭露BSPDN細(xì)節(jié)，BSPDN相較于傳統(tǒng)前端配電網(wǎng)絡(luò)，可將芯片性能、功率分別提升8%、15%，而且三星預(yù)定在2027年量產(chǎn)2納米芯片時采用BSPDN技術(shù)。

　　BSPDN被稱為次世代晶圓代工技術(shù)，該技術(shù)主要是將電軌置于硅晶圓被面，進(jìn)而排除電與信號線的瓶頸，以縮小芯片尺寸。

　　先進(jìn)制程競賽白熱化，英特爾則預(yù)計今年將BSPDN應(yīng)用在英特爾20A（相當(dāng)于2納米節(jié)點）的制程上，該公司稱該技術(shù)為“PowerVia”。臺積電則計劃在2026年底左右，對1.6納米以下制程導(dǎo)入BSPDN。

　　Lee Sungjae也公布次世代GAA制程的計劃及芯片性能，三星將在今年下半年量產(chǎn)基于第二代環(huán)繞式閘極（GAA）技術(shù)（SF3）的3納米芯片，并將GAA導(dǎo)入2納米制程。SF3相比第一代GAA制程，芯片性能和功率提升30%、50%，芯片尺寸亦縮小35%。