2025年6月19日，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)國(guó)家同步輻射實(shí)驗(yàn)室宣布，其團(tuán)隊(duì)在氮化鎵（GaN）激光芯片領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，成功研制出高性能氮化鎵藍(lán)綠光垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）。

　此次研發(fā)的氮化鎵VCSEL芯片，在輸出功率和電光轉(zhuǎn)換效率上均達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)顯示，該芯片在室溫連續(xù)工作狀態(tài)下，可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的藍(lán)綠光輸出，其單芯片輸出功率最高達(dá)到XX毫瓦（具體數(shù)據(jù)待官方公布），電光轉(zhuǎn)換效率超過(guò)XX%（具體數(shù)據(jù)待官方公布）。據(jù)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人張教授介紹，通過(guò)優(yōu)化材料生長(zhǎng)和器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，團(tuán)隊(duì)有效解決了氮化鎵材料在高功率運(yùn)行時(shí)面臨的散熱和電流注入均勻性等技術(shù)難題。

　書(shū)生家電網(wǎng)據(jù)悉，該項(xiàng)技術(shù)的突破，得益于我國(guó)在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的長(zhǎng)期投入。國(guó)家同步輻射實(shí)驗(yàn)室利用其先進(jìn)的表征手段，對(duì)氮化鎵外延材料的芯片質(zhì)量和缺陷控制進(jìn)行了深入研究，為器件性能的提升奠定了基礎(chǔ)。此次成功研制的高性能氮化鎵VCSEL，有望在激光顯示、高速光通信、生物醫(yī)療傳感以及量子計(jì)算等多個(gè)前沿領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。

　目前，相關(guān)研究成果已在國(guó)際權(quán)威學(xué)術(shù)期刊上發(fā)布。下一步，研發(fā)團(tuán)隊(duì)將致力于推動(dòng)氮化鎵VCSEL芯片的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，力爭(zhēng)盡快實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能光電器件日益增長(zhǎng)的需求。